近年來，電子技術的發(fā)展，使得電路的工作電壓越來越低、電流越來越大。低電壓工作有利于降低電路的整體功率消耗，但也給電源設計提出了新的難題。
開關電源的損耗主要由3部分組成：功率開關管的損耗，高頻變壓器的損耗，輸出端整流管的損耗。在低電壓、大電流輸出的情況下，整流二極管的導通壓降較高，輸出端整流管的損耗尤為突出。快恢復二極管（FRD）或超快恢復二極管（SRD）可達1.0～1.2V，即使采用低壓降的肖特基二極管（SBD），也會產生大約0.6V的壓降，這就導致整流損耗增大，電源效率降低。
同步整流可提升效率，同時也能夠極大地幫助瞬態(tài)負載調節(jié)。它為電源預加載提供了一種有效的方法。另外，相比擺動電感，它還擁有更加穩(wěn)定的控制環(huán)路特性。它提高了傳統(tǒng)降低電壓轉換器，以及所有其他能夠使用同步整流的拓撲結構的動態(tài)性。
飛楊電源技術（深圳）有限公司是一家以電源設計開發(fā)銷售為主的科技公司,
計有876名工人, 廠房面積:23000平方米，月產能 2KK pcs各種電源, 年銷售額4.5億元
氮化廠家采用的GaN氮化材料穩(wěn)定又堅硬，它的熔點約為1700℃，做成GaN功率器件（GaNFET）后可以在200℃以上的高溫下工作。氮化比硅材料的禁帶寬度大3倍、擊穿場強高10倍、飽和電子遷移速度倍、熱導率高2倍，這些性能提升帶來的優(yōu)勢就是它比硅更適合做大功率高頻的功率器件。假如電源插孔內的交流電是一望無際的湖水，充電器內的功率器件就像勺子，需要不斷將插孔內的湖水撈出，轉化為直流電后再傳輸給數(shù)碼設備供電。此時，用MOSFET做的勺子每秒鐘只能勺10下，再快就有燒毀的風險。而GaNFET做的勺子每秒則可以勺至少30下，還不怕累。
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近年來，全新的數(shù)據接口USB Type-C數(shù)據線成為了行業(yè)熱門話題，越來越多的手機廠商選擇是使用type-c接口。不過也有人抱怨，使用這種接口的設備充電并不那么方便，那為何還有那么多廠商對Type-C接口青睞有加呢？Type-C接口插座端的尺寸與原來的Micro USB規(guī)格一樣小，約為8.3mm*2.5mm;可承受1萬次反復插拔；支持正反兩面均可插入的“正反插”功能（類似蘋果lightning接口）纖薄設計；大數(shù)據傳輸速度可達10GBit/s。
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