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LEB前沿消隱時間設(shè)短了，比尖峰脈沖的時間還短，那就沒有效果了還是會誤判；如果設(shè)長了，真正的過流來了起不到保護的作用。 Rcs與Ccs的RC值不可超過1NS的Delay，否則輸出短路時，定制式充電器廠家，Vds會比滿載時還高，超過MOSFET耐壓就可能造成炸機。 經(jīng)驗值1nS的Delay約等于1K對100PF，也等于100R對102PF 16.畫小板時，在小板引腳的90度拐角處增加一個圓形鉆孔。理由：方便組裝 如圖： 實物如圖： 實際組裝如圖： 這樣做可以使小板與PCB大板之間緊密貼合，不會有浮高現(xiàn)象 17.電路設(shè)計，肖特基的散熱片可以接到輸出正極線路，這樣鐵封的肖特基就不用絕緣墊和絕緣粒 18.電路調(diào)試，15W以上功率的RCD吸收不要用1N4007，因為1N4007速度慢300uS，壓降也大1.3V，老化過程中溫度很高，容易失效造成炸機 19.電路調(diào)試，輸出濾波電容的耐壓致少需符合1.2倍余量，避勉量產(chǎn)有損壞現(xiàn)象。
即讓某引線從別的電阻、電容、三極管腳下的空隙處“鉆”過去，或從可能交叉的某條引線的一端“繞”過去，在特殊情況下如何電路很復雜，定制式充電器生產(chǎn)，為簡化設(shè)計也允許用導線跨接，解決交叉電路問題。因采用單面板，定制式充電器價格，直插元件位于top面，表貼器件位于bottom面，所以在布局的時候直插器件可與表貼器件交疊，但要避免焊盤重疊。3．輸入地與輸出地本開關(guān)電源中為低壓的DC－DC，欲將輸出電壓反饋回變壓器的初級，兩邊的電路應(yīng)有共同的參考地，所以在對兩邊的地線分別鋪銅之后，還要連接在一起，形成共同的地五、檢查布線設(shè)計完成后，需認真檢查布線設(shè)計是否符合設(shè)計者所制定的規(guī)則，
.●反饋光耦供電用12V供電，且取樣點在后級濾波電感前面更好。因為濾波電感前的波動更快的反映前端PWM的調(diào)制狀態(tài)，龍崗區(qū)定制式充電器，就算TL431的開啟程度是一定的，因為12V的波動可以讓光耦上反饋到的電流有微小的差異，在反饋環(huán)路一定的情況下，這個光耦供電取樣點的選擇更有利于動態(tài)響應(yīng)和調(diào)整率的平衡控制。。●12V繞組應(yīng)該放在更接近于初級繞組的地方。這樣更有效的確保12V的電壓變化比例更小，因為我們反饋采樣的是5V端，所以難控制的是12V的繞組。綜合這些將可以更好的控制這兩個繞組的平衡度。雖然不能做到的好，但是相對的來說是有一定參考價值的。
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